一、選擇題
1.降低NMOS的開啟電壓VT的方法,哪種無效?
A.減少襯底的P型摻雜濃度
B.減少氧化層厚度
C.增加源漏極的N型摻雜濃度
D.減少溝道長度
2.IO PAD 的設(shè)計,一般不?紤]的因素
A.ESD特性
B.驅(qū)動能力
C.施密特觸發(fā)器
D.襯偏效應(yīng)
3.邏輯電路低功耗設(shè)計中,無效的方法
A.采用慢速設(shè)計
B.減少信號翻轉(zhuǎn)
C.減少IC面積
D.采用較慢速的時鐘。
二、問答題
1.寫出序列探測器“11000”的RTL代碼。
2.分析一個CMOS電路的邏輯功能(同或門)。
3.分析一個CMOS電路的邏輯功能(三態(tài)門)。
4.畫出全加器的CMOS電路,說明延時的估算方法。
5.A,B為兩個時鐘,頻率差最小為1/8。如果A的頻率高,C="0";否則C="1";編程實現(xiàn)。
6.編程實現(xiàn)FIR濾波器,系數(shù)為C0,C1,C2,C3,C2,C1,C0。輸入DI,輸出DO。系數(shù)和DI均為8比特。
7.一個圓盤,一半黑,一半白。有兩個探測器,用1表示白,0表示黑。設(shè)計一個電路,可以探測出圓盤是順時針轉(zhuǎn)動還是逆時針轉(zhuǎn)動