珠海炬力筆試題和面試題答案目

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一、選擇題

1.降低NMOS的開啟電壓VT的方法,哪種無效?

A.減少襯底的P型摻雜濃度

B.減少氧化層厚度

C.增加源漏極的N型摻雜濃度

D.減少溝道長度

2.IO PAD 的設(shè)計,一般不?紤]的因素

A.ESD特性

B.驅(qū)動能力

C.施密特觸發(fā)器

D.襯偏效應(yīng)

3.邏輯電路低功耗設(shè)計中,無效的方法

A.采用慢速設(shè)計

B.減少信號翻轉(zhuǎn)

C.減少IC面積

D.采用較慢速的時鐘。

二、問答題

1.寫出序列探測器“11000”的RTL代碼。

2.分析一個CMOS電路的邏輯功能(同或門)。

3.分析一個CMOS電路的邏輯功能(三態(tài)門)。

4.畫出全加器的CMOS電路,說明延時的估算方法。

5.A,B為兩個時鐘,頻率差最小為1/8。如果A的頻率高,C="0";否則C="1";編程實現(xiàn)。

6.編程實現(xiàn)FIR濾波器,系數(shù)為C0,C1,C2,C3,C2,C1,C0。輸入DI,輸出DO。系數(shù)和DI均為8比特。

7.一個圓盤,一半黑,一半白。有兩個探測器,用1表示白,0表示黑。設(shè)計一個電路,可以探測出圓盤是順時針轉(zhuǎn)動還是逆時針轉(zhuǎn)動

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